LED晶元及其制备方法和LED灯

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

LED晶元及其制备方法和LED灯

有效

专利申请进度

申请

2017-10-09

申请公布

2018-03-16

授权

2019-12-13

预估到期

2037-10-09

专利基础信息

申请号	CN201710928614.X	申请日	2017-10-09
申请公布号	CN107808916A	申请公布日	2018-03-16
授权公布号	CN107808916B	授权公告日	2019-12-13
分类号	H01L33/06;H01L33/00;H01L21/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	浙江帅康电气股份有限公司
申请人地址	浙江省宁波市余姚市低塘街道城东北路888号

专利法律状态

2019-12-13

授权

状态信息

授权
2018-04-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/06
2018-03-16

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了一种LED晶元及其制备方法和LED灯。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长AlN复合基底；(2)在AlN复合基底上生长一层Al0.5Ga0.5N量子结构有源层；(3)在Al0.5Ga0.5N量子结构有源层上外延一层很薄的AlN缓冲层作为空穴阻挡层；(4)在AlN缓冲层上生长多层量子阱结构；(5)在量子阱结构上生长P型电子阻挡层；(6)在P型电子阻挡层上生长Mg‑Siδ共掺超晶格；(7)在Mg‑Siδ共掺超晶格上生长一层P+‑GaN欧姆电极盖层。其有益效果是：本发明提供的含高Al组分的AlGaN外延基片的LED晶元的制备方法，通过在蓝宝石衬底上进行AIN复合基底的生长，以有效释放生长过程中的应力，获得高质量的AlGaN外延基片。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信