用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺

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专利状态

用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺

有效

专利申请进度

申请

2021-02-26

申请公布

2022-08-30

授权

2023-06-06

预估到期

2041-02-26

专利基础信息

申请号	CN202110220696.9	申请日	2021-02-26
申请公布号	CN114959875A	申请公布日	2022-08-30
授权公布号	CN114959875B	授权公告日	2023-06-06
分类号	C30B15/02
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	江西省上饶市经济开发区晶科大道1号

专利法律状态

2023-06-06

授权

状态信息

授权
2022-09-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B15/02；申请日:20210226
2022-08-30

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺，其中，该加料设备包括本体和开合机构，本体由下至上包括至少两层的腔室，开合机构设置于相邻两层腔室之间，相邻两层腔室通过开合机构导通或分隔；本体上设置有出料口和进料口，出料口与位于底层的腔室连通，进料口与位于顶层的腔室连通。本申请通过在加料设备中设置至少两层的腔室，可以使该加料设备能够单独进行备料、抽真空及充入保护气的操作，而不会占用工艺用时，同时可以实现在晶棒冷却过程中对单晶炉进行加料，由此缩短了晶棒制备工艺的整体时长，提升了生产效率。

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