使用norflash模拟eeprom的方法

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专利状态

使用norflash模拟eeprom的方法

有效

专利申请进度

申请

2019-12-30

申请公布

2020-05-19

授权

2023-05-30

预估到期

2039-12-30

专利基础信息

申请号	CN201911397192.3	申请日	2019-12-30
申请公布号	CN111176579A	申请公布日	2020-05-19
授权公布号	CN111176579B	授权公告日	2023-05-30
分类号	G06F3/06;G06F11/10
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	航天信息股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区杏石口路甲18号

专利法律状态

2023-05-30

授权

状态信息

授权
2020-06-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/06；专利申请号:2019113971923；申请日:20191230
2020-05-19

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种使用norflash模拟eeprom的方法。该方法包括：将norflash分为初始化区、数据区、替换区、整理区；在初始化区存入初始化标记、密钥和校验值；将数据区划分为多个物理页，数据区物理页与eeprom逻辑页映射，以模拟eeprom进行数据写入和读出；写入数据后，将当前写入的物理页与逻辑页间的映射关系以及成功写入标记存储在替换区作为记录；当替换区写满时，将数据区物理页与逻辑页间的最新映射关系拷贝到整理区，然后在整理区写入成功拷贝标记，并将整理区数据拷贝回已擦除的替换区，最后擦除整理区。本申请的方案能提供可靠的掉电保护并保障数据安全，还便于在不同平台移植。

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