制作高压双向触发二极管的方法

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专利状态

制作高压双向触发二极管的方法

有效

专利申请进度

申请

2009-06-19

申请公布

2009-12-02

授权

2011-02-16

预估到期

2029-06-19

专利基础信息

申请号	CN200910031641.2	申请日	2009-06-19
申请公布号	CN101593693A	申请公布日	2009-12-02
授权公布号	CN101593693B	授权公告日	2011-02-16
分类号	H01L21/329;H01L21/306
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州银河电器有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区河海西路168号

专利法律状态

2011-02-16

授权

状态信息

授权
2010-01-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2009-12-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种制作高压双向触发二极管的方法，该方法按下述步骤依次处理原料硅片：化学抛光→硼扩散→掩膜氧化→双面一次光刻→磷扩散→镀镍及合金化→划片→焊接→酸洗→保护→封装后，制得高压双向触发二极管成品；其化学抛光步骤是将原料硅片用腐蚀液在常温下均匀腐蚀3～5分钟后，经多次清洗并干燥得到表面为亚光的硅片(1)，其中所用腐蚀液是由氢氟酸、冰乙酸和硝酸按体积比1∶1～3∶25～30混合形成的；其酸洗步骤是用混合酸液浸泡腐蚀焊接步骤得到的硅片(1)外周，形成腐蚀层(8)而获得电性能，其中所用混合酸液是由氢氟酸、硝酸、乙酸和硫酸按体积比9∶9∶9～15∶4混合形成的。工序简化，成本低，性能可靠，抗烧蚀。

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