发光二极管荧光粉发射光谱测量方法

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专利状态

发光二极管荧光粉发射光谱测量方法

有效

专利申请进度

申请

2006-11-21

申请公布

2008-06-04

授权

2011-06-15

预估到期

2026-11-21

专利基础信息

申请号	CN200610154739.3	申请日	2006-11-21
申请公布号	CN101191770A	申请公布日	2008-06-04
授权公布号	CN101191770B	授权公告日	2011-06-15
分类号	G01N21/64
分类	测量；测试;
申请人名称	杭州远方光电信息股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨江高新区滨康路669号

专利法律状态

2011-06-15

授权

状态信息

授权
2009-12-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2008-06-04

公布

状态信息

公开

摘要

发光二极管荧光粉发射光谱测量方法，属于光辐射测量技术领域。现有技术存在测量不准确的缺陷。本发明包括以下步骤：(一)用至少一个LED作为激发源，使其发出的激发光照射到被测荧光粉上而激发荧光粉发光，在被测荧光粉所发出光线的光路上设置一光学接收件以接收荧光粉发出的光。(二)使用光谱辐射测试仪对光学接收件接收到的光进行光谱测量。(三)将所测得的光谱数据通过解调分离算法计算得到待测荧光粉的发射光谱。通过准确模拟照明LED使用条件和采用解调分离算法，消除了带宽影响，减小了误差，提高了测量精度，通用性好。

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