一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置

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专利状态

一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置

有效

专利申请进度

申请

2021-11-09

授权

2022-05-17

预估到期

2031-11-09

专利基础信息

申请号	CN202122738081.3	申请日	2021-11-09
授权公布号	CN216549631U	授权公告日	2022-05-17
分类号	C01B7/07
分类	无机化学;
申请人名称	湖北和远气体股份有限公司
申请人地址	湖北省宜昌市长阳土家族自治县龙舟坪镇龙舟大道52号（馨农家园）2栋1102号

专利法律状态

2022-05-17

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置，以工业产品气体为原料，采用多种纯化装置、气液分离装置与高压精馏装置的结合，可实现高效脱水、去除CO2及金属离子；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广。

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