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专利状态
一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法
有效
专利申请进度
申请
2024-01-17
申请公布
2024-02-20
授权
2024-03-26
预估到期
2044-01-17
专利基础信息
申请号 CN202410064584.2 申请日 2024-01-17
申请公布号 CN117577745A 申请公布日 2024-02-20
授权公布号 CN117577745B 授权公告日 2024-03-26
分类号 H01L31/18;H01L31/0296;H01L21/388
分类 基本电气元件;
申请人名称 广州市尤特新材料有限公司
申请人地址 广东省广州市花都区花山镇华侨科技工业园华辉路4号
专利法律状态
  • 2024-03-26
    授权
    状态信息
    授权
  • 2024-02-20
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明属于半导体材料技术领域,本发明具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法,本发明创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混,其中碲粉、镉粉能够作为活性剂,调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度,而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉,改变碲化镉的能带结构,提高光吸收效率,并提高导电性能,提高载流子迁移率,进而显著提高光电性能。