单级PFC电路MOS管过压保护电路

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专利状态

单级PFC电路MOS管过压保护电路

有效

专利申请进度

申请

2013-08-26

申请公布

2015-03-18

授权

2017-11-07

预估到期

2033-08-26

专利基础信息

申请号	CN201310375786.0	申请日	2013-08-26
申请公布号	CN104426137A	申请公布日	2015-03-18
授权公布号	CN104426137B	授权公告日	2017-11-07
分类号	H02H7/12
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳市朗科智能电气股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区爱群路同富裕工业区8-4#厂房1、2、3楼5楼左

专利法律状态

2017-11-07

授权

状态信息

授权
2015-04-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H02H 7/12申请日:20130826
2015-03-18

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提出了一种单级PFC电路MOS管过压保护电路，包括比较器、受控电子开关、采样电路、用于与PFC电路的滤波电容正极连接的采样输入端以及用于与PFC电路反激电路主MOS管栅极连接的保护输出端；比较器的第一输入端通过采样电路与采样输入端连接，比较器的第二输入端输入基准比较电压，比较器的输出端与受控电子开关的控制端连接；受控电子开关的阴极接地，阳极与保护输出端连接。本发明的单级PFC电路MOS管过压保护电路能检测PFC电路整流后的异常高压情况，及时断开PFC电路中反激电路的主MOS管，有效防止高压击穿，提高电路稳定性能，同时能使主MOS管无需采用昂贵的高耐压管，大大降低电路成本。

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