多测试通道同步通断的微波半导体器件测试仪及方法

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专利状态

多测试通道同步通断的微波半导体器件测试仪及方法

有效

专利申请进度

申请

2019-11-06

申请公布

2020-01-14

授权

2022-05-03

预估到期

2039-11-06

专利基础信息

申请号	CN201911075610.7	申请日	2019-11-06
申请公布号	CN110687426A	申请公布日	2020-01-14
授权公布号	CN110687426B	授权公告日	2022-05-03
分类号	G01R31/26;G01R1/04
分类	测量；测试;
申请人名称	中电科思仪科技股份有限公司
申请人地址	山东省青岛市黄岛区香江路98号

专利法律状态

2022-05-03

授权

状态信息

授权
2020-01-14

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及多测试通道同步通断的微波半导体器件测试仪及方法，包括测试仪本体，测试仪本体顶部具有盖板，盖板安装有测试端面部件，测试端面部件具有能够与负载板插接连接的定位销钉，所述盖板底面安装有连杆机构，所述连杆机构与设置在盖板顶面的滑块连接，连杆机构能够驱动滑块沿盖板顶面运动，滑块的一侧侧面上开设有滑槽，滑槽与负载板的边缘的固定销钉相匹配，负载板边缘的销钉能够伸入所述滑槽中，所述滑槽轴线与盖板呈夹角设置，滑块的运动能够带动负载板做升降运动，从而实现负载板与测试端面部件的连接和分离，本发明的测试仪能够保证测试端面部件各个连接器与负载板的压接一致性。

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