一种高精度太赫兹超短波长校准件的制备方法及校准件_专利查询-品牌网

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专利状态

一种高精度太赫兹超短波长校准件的制备方法及校准件

有效

专利申请进度

申请

2020-08-28

申请公布

2020-11-24

授权

2024-02-02

预估到期

2040-08-28

专利基础信息

申请号	CN202010884027.7	申请日	2020-08-28
申请公布号	CN111983540A	申请公布日	2020-11-24
授权公布号	CN111983540B	授权公告日	2024-02-02
分类号	G01R35/00
分类	测量；测试;
申请人名称	中电科思仪科技股份有限公司
申请人地址	山东省青岛市黄岛区香江路98号

专利法律状态

2024-02-02

授权

状态信息

授权
2020-11-24

公布

状态信息

公布

摘要

本公开提出一种高精度太赫兹超短波长校准件的制备方法及校准件，所述方案采用偏移片和短路块一体化集成设计，避免了分立式校准过程中偏移片和短路块反复组合不利于校准效率的提升；由于较高频段偏移片本身比较薄，分立式偏移片易折损导致使用寿命低，采用一体集成能够有效解决该问题。

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