一种基于分裂变压器的多晶硅还原炉

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专利状态

一种基于分裂变压器的多晶硅还原炉

有效

专利申请进度

申请

2020-09-27

授权

2021-04-13

预估到期

2030-09-27

专利基础信息

申请号	CN202022161189.6	申请日	2020-09-27
授权公布号	CN212967379U	授权公告日	2021-04-13
分类号	H01F27/30;C01B33/035
分类	基本电气元件;
申请人名称	海南金盘智能科技股份有限公司
申请人地址	海南省海口市南海大道168-39号

专利法律状态

2021-04-13

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于分裂变压器的多晶硅还原炉，包括多晶硅还原炉本体，以及与多晶硅还原炉本体连接的轴向三分裂变压器；轴向三分裂变压器包括三个轴向磁芯，任一轴向磁芯沿轴向设置有三组低压绕组，轴向三分裂变压器内九组低压绕组相互独立；任一轴向磁芯均设置有高压绕组，位于不同轴向磁芯的高压绕组之间角接。在轴向三分裂变压器内设置三个轴向磁芯，且任意一个轴向磁芯分裂有三个低压绕组，可以一共在变压器内设置九组低压绕组，且该九组低压绕组相互独立，以便于多晶硅还原炉的正常使用。而仅设置一台轴向三分裂变压器可以有效降低变压器的占地面积，同时减少电缆数量的设置，进一步降低多晶硅还原炉整体的设置成本。

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