一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路

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专利状态

一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路

有效

专利申请进度

申请

2021-08-27

授权

2023-02-17

预估到期

2031-08-27

专利基础信息

申请号	CN202122045206.4	申请日	2021-08-27
授权公布号	CN218499122U	授权公告日	2023-02-17
分类号	H03K17/081;H03K17/687
分类	基本电子电路;
申请人名称	浙江中力机械股份有限公司
申请人地址	浙江省湖州市安吉县递铺镇霞泉村

专利法律状态

2023-02-17

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种带过流短路保护的MOSFET驱动电路，包括处理器、MOSFET、第一比较器、第二比较器、二极管及若干电阻，第一比较器的第一输入端连接第一电压参考点，第二输入端通过第一电阻与处理器的第一连接端连接，第一比较器的输出端与MOSFET的栅极连接；MOSFET的栅极与第一比较器的输出端之间并联第二电阻；MOSFET的漏极与第三电阻连接；第二比较器的第一输入端连接第二电压参考点，第二比较器的第二输入端通过第四电阻与MOSFET的漏极连接，第二比较器的输出端与处理器的第二连接端连接；处理器的第二连接端连接有第五电阻；二极管的正极与处理器的第一连接端连接，负极与处理器的第二连接端连接。通过比较器实现MOSFET的开关控制且带过流和短路保护。

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