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专利状态
一种低功耗高精度的无电阻型CMOS基准电压源
有效
专利申请进度
申请
2023-07-28
申请公布
2023-10-24
授权
2024-02-27
预估到期
2043-07-28
专利基础信息
申请号 CN202310941651.X 申请日 2023-07-28
申请公布号 CN116931641A 申请公布日 2023-10-24
授权公布号 CN116931641B 授权公告日 2024-02-27
分类号 G05F1/567ICN107390757A,2017.11.24;CN107861557A,2018.03.30;CN108205353A,2018.06.26;US2014340143A1,2014.11.20;US2018164842A1,2018.06.14;US2020125129A1,2020.04.23;WO2023034176A1,2023.03.09XifengLiu.A2.5ppm/°CVoltageReferenceCombiningTraditionalBGRandZTCMOSFE
分类 控制;调节;
申请人名称 武汉高德红外股份有限公司
申请人地址 湖北省十堰市红卫教育口车城西路167号
专利法律状态
  • 2024-02-27
    授权
    状态信息
    授权
  • 2023-11-10
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G05F1/567;申请日:20230728
  • 2023-10-24
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种低功耗高精度的无电阻型CMOS基准电压源电路,属于模拟集成电路领域,包括自偏置电流源电路、正温度系数电压产生电路和启动电路。自偏置电流源电路采用两个工作于亚阈值区的不同阈值电压的NMOS管构成堆叠结构,产生纳安量级的偏置电流和负温度系数电压。正温度系数电压产生电路采用PMOS差分对结构产生正温度系数电压,对负温度系数电压进行一阶曲率补偿;利用工作于截止区的NMOS管产生随温度近似成指数变化的漏电流,进行高阶曲率补偿,提高基准电压源的精度。启动电路在上电的瞬间消除零状态简并点,使电路进入正常工作的状态。本发明在无电阻和无BJT管的情况下,获得了低功耗、低电源电压和高精度的性能。