一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管

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专利状态

一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管

失效

专利申请进度

申请

2013-03-07

授权

2013-08-14

预估到期

2023-03-07

专利基础信息

申请号	CN201320104173.9	申请日	2013-03-07
授权公布号	CN203134800U	授权公告日	2013-08-14
分类号	H01L27/15;H01L33/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区清华同方科技广场A座29层

专利法律状态

2021-02-23

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L 27/15；专利号:ZL2013201041739；申请日:20130307；授权公告日:20130814；终止日期:20200307
2013-08-14

实用新型专利权授予

状态信息

授权

摘要

一种能提高高压LED制程良率的步阶型发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型包括开槽后形成的多个高压LED。各高压LED包括衬底以及衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。在N型半导体层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。所述各高压LED之间采用串并联连结桥连接，所述连接桥底面设有钝化层。其结构特点是，所述N型半导体层的两侧面位置与钝化层的接触面为步阶式沟槽结构，连结桥的外轮廓和钝化层的外轮廓相同也为相适配的步阶式沟槽结构。本实用新型能有效减少串并联LED之间绝缘层和金属层的断层现象，显著提高HVLED的制程良率。

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