一种提高发射补偿测温准确性或一致性的衬底加工方法

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专利状态

一种提高发射补偿测温准确性或一致性的衬底加工方法

有效

专利申请进度

申请

2012-11-16

申请公布

2014-05-28

授权

2017-04-12

预估到期

2032-11-16

专利基础信息

申请号	CN201210462738.0	申请日	2012-11-16
申请公布号	CN103824903A	申请公布日	2014-05-28
授权公布号	CN103824903B	授权公告日	2017-04-12
分类号	H01L33/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区清华同方科技广场A座29层

专利法律状态

2017-04-12

授权

状态信息

授权
2014-06-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20121116
2014-05-28

公布

状态信息

公布

摘要

一种提高发射补偿测温准确性或一致性的衬底加工方法，涉及LED材料工程技术领域。本发明的方法步骤为：对于探测光波长而透明的衬底，平衬底采用双面抛光处理。将图形化衬底正面图形的表面进行平整和光滑处理，并保持图形结构几何特征的均一性，图形化衬底背面进行再抛光处理。对于探测光波长非透明的衬底，平衬底仅进行正面抛光处理。将图形化衬底正面图形的表面进行平整和光滑处理，并保持图形结构几何特征的均一性。加工后的平衬底或者图形化衬底的弯曲度、翘曲度和总厚度变化均小于15微米。本发明通过对平衬底或者图形化衬底表面的加工处理，使衬底表面均匀性提高，以提升测试精度。

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