一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构

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专利状态

一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构

有效

专利申请进度

申请

2013-06-26

申请公布

2014-12-31

授权

2019-07-16

预估到期

2033-06-26

专利基础信息

申请号	CN201310257933.4	申请日	2013-06-26
申请公布号	CN104253182A	申请公布日	2014-12-31
授权公布号	CN104253182B	授权公告日	2019-07-16
分类号	H01L33/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号

专利法律状态

2019-07-16

发明专利权授予

状态信息

授权
2016-08-17

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L 33/06；变更事项:申请人；变更前:南通同方半导体有限公司；变更后:南通同方半导体有限公司；变更事项:地址；变更前:100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层；变更后:226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号；变更事项:申请人；变更前:同方股份有限公司；变更后:同方股份有限公司
2016-04-06

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 33/06；申请日:20130626
2014-12-31

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层，有源区包括阱层和垒层，所述有源区的生长周期数为3m个周期，有源区包括三个部分，每个部分生长m个周期，垒层由AlxGa1‑xN层、AlyIn1‑yN层和InzGa1‑zN层组成，其中，1≤m≤5。同现有技术相比，本发明能减缓溢流现象和降低能带的弯曲，提高内量子效率，从而有效提高出光效率。

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