一种具有应力补偿效应垒层的LED外延结构

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专利状态

一种具有应力补偿效应垒层的LED外延结构

有效

专利申请进度

申请

2015-09-17

申请公布

2017-03-29

授权

2019-07-16

预估到期

2035-09-17

专利基础信息

申请号	CN201510589866.5	申请日	2015-09-17
申请公布号	CN106549086A	申请公布日	2017-03-29
授权公布号	CN106549086B	授权公告日	2019-07-16
分类号	H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号

专利法律状态

2019-07-16

授权

状态信息

授权
2017-09-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L33/12；申请日:20150917
2017-03-29

公布

状态信息

公布

摘要

一种具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明结构从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区与电子阻挡层之间设有应力补偿效应垒层。所述应力补偿效应垒层从下至上依次包括本征半导体层、N型半导体层和P型半导体层。同现有技术相比，本发明通过增加垒层，可以提高电子阻挡效益、增加电动注入、减少效率衰减从而提高辐射复合几率，以达到增强LED内量子效率的目的。

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