一种低位错密度和残余应力的LED外延结构

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专利状态

一种低位错密度和残余应力的LED外延结构

有效

专利申请进度

申请

2015-05-20

申请公布

2017-01-04

授权

2019-03-08

预估到期

2035-05-20

专利基础信息

申请号	CN201510258317.X	申请日	2015-05-20
申请公布号	CN106299048A	申请公布日	2017-01-04
授权公布号	CN106299048B	授权公告日	2019-03-08
分类号	H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号

专利法律状态

2019-03-08

授权

状态信息

授权
2017-08-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L33/02；申请日:20150520
2017-01-04

公布

状态信息

公布

摘要

一种低位错密度和残余应力的LED外延结构，涉及半导体发光领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述u型GaN层从下至上依次包括u‑GaN三维生长层、u‑GaN二维块体生长层和u‑GaN二维掺杂超晶格生长层。所述u‑GaN二维掺杂超晶格生长层包括从下至上交替生长的变温变压掺杂GaN层和变温变压未掺杂GaN层，变温变压掺杂GaN层中的掺杂元素为Si。同现有技术相比，本发明通过结构的变化，有效降低位错密度和残余应力，提高器件的光电特性。

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