一种图像传感器像素阵列结构及制作方法

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专利状态

一种图像传感器像素阵列结构及制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-31

申请公布

2020-11-27

授权

2023-10-27

预估到期

2040-07-31

专利基础信息

申请号	CN202010759946.1	申请日	2020-07-31
申请公布号	CN112002717A	申请公布日	2020-11-27
授权公布号	CN112002717B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H01L27/146
分类	基本电气元件;
申请人名称	奥比中光科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区粤海街道学府路63号高新区联合总部大厦11.13楼

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2021-01-29

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L27/146；变更事项:申请人；变更前:深圳奥比中光科技有限公司；变更后:奥比中光科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:518000 广东省深圳市南山区学府路63号高新区联合总部大厦12楼；变更后:518000 广东省深圳市南山区粤海街道学府路63号高新区联合总部大厦11.13楼
2020-12-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/146；申请日:20200731
2020-11-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种图像传感器像素阵列结构及制作方法，结构包括像素晶圆和逻辑晶圆，其中，所述像素晶圆包括：硅基感光像素阵列，用于接收入射光以转换成电信号；深隔离结构，位于相邻硅基感光像素之间的，用于所述相邻硅基感光像素之间的光学隔离和电学隔离；硅基微透镜阵列，位于硅基感光像素阵列的上方，与所述硅基感光像素阵列自成一体，用于会聚入射光进入所述硅基感光像素阵列；钝化层，沉积于所述硅基微透镜阵列，用于保护硅基微透镜阵列；所述逻辑晶圆，包括互补金属氧化物半导体器件，用于处理来自所述硅基感光像素阵列的电信号。消除传统有机微透镜和硅基感光像素之间的折射率差，减少微透镜阵列和感光像素阵列界面处的入射光反射损失。

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