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专利状态

半导体探测器

有效

专利申请进度

申请

2016-08-31

申请公布

2017-01-11

授权

2023-09-15

预估到期

2036-08-31

专利基础信息

申请号	CN201610797815.6	申请日	2016-08-31
申请公布号	CN106324649A	申请公布日	2017-01-11
授权公布号	CN106324649B	授权公告日	2023-09-15
分类号	G01T1/00
分类	测量；测试;
申请人名称	同方威视技术股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区双清路同方大厦A座2层

专利法律状态

2023-09-15

授权

状态信息

授权
2017-02-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01T1/00；申请日:20160831
2017-01-11

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。

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