太阳能电池及其制备方法、光伏组件

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专利状态

太阳能电池及其制备方法、光伏组件

有效

专利申请进度

申请

2023-08-09

申请公布

2023-09-08

授权

2023-10-27

预估到期

2043-08-09

专利基础信息

申请号	CN202310996038.8	申请日	2023-08-09
申请公布号	CN116722053A	申请公布日	2023-09-08
授权公布号	CN116722053B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	天合光能股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2023-09-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/0216；申请日:20230809
2023-09-08

公布

状态信息

公布

摘要

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括硅基底；隧穿氧化层设于硅基底的表面；第一掺杂多晶硅层设于隧穿氧化层的表面；第一掺杂多晶硅层的表面包括金属接触区域和非金属接触区域；激光吸收层设于第一掺杂多晶硅层表面的金属接触区域；激光吸收层能够吸收设定波长的激光而气化蒸发；第二掺杂多晶硅层设于激光吸收层的表面。太阳能电池通过仅在金属接触区域设置第二掺杂多晶硅层，既能实现钝化接触功能，又能减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，提升电池效率；通过设置激光吸收层，可利用激光去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，有效简化制备的工序流程，工艺成本低，易于规模推广。

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