太阳能电池和太阳能电池的制备方法

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专利状态

太阳能电池和太阳能电池的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2023-06-21

申请公布

2023-07-25

授权

2023-10-27

预估到期

2043-06-21

专利基础信息

申请号	CN202310741576.2	申请日	2023-06-21
申请公布号	CN116487452A	申请公布日	2023-07-25
授权公布号	CN116487452B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H01L31/0216;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	天合光能股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2023-08-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/0216；申请日:20230621
2023-07-25

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括衬底，具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面；隧穿氧化层，设置于第一表面和/或第二表面；掺杂多晶硅层，设置于隧穿氧化层远离衬底的表面；阻挡层，设置于太阳能电池的电极区，且与掺杂多晶硅层接触，阻挡层的掺杂类型与掺杂多晶硅层相同；以及电极，与阻挡层接触。本申请上述实施中的太阳能电池在电极区设置与掺杂多晶硅层接触的阻挡层，降低了电极烧穿掺杂多晶硅层的风险；在此基础上，可进一步减小掺杂多晶硅层的厚度，从而降低掺杂多晶硅层对入射光的吸收，提高了太阳能电池对入射光的利用率。

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