一种基于钝化接触的太阳能电池片

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专利状态

一种基于钝化接触的太阳能电池片

有效

专利申请进度

申请

2020-04-07

授权

2020-10-27

预估到期

2030-04-07

专利基础信息

申请号	CN202020490147.4	申请日	2020-04-07
授权公布号	CN211789034U	授权公告日	2020-10-27
分类号	H01L31/0216
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2020-10-27

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片法，其制备工艺较为简单。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。

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