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专利状态
一种背结晶硅电池
有效
专利申请进度
申请
2021-04-23
授权
2021-12-14
预估到期
2031-04-23
专利基础信息
申请号
CN202120851963.8
申请日
2021-04-23
授权公布号
CN215183997U
授权公告日
2021-12-14
分类号
H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
分类
基本电气元件;
申请人名称
苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址
江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
专利法律状态
2021-12-14
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型提供一种背结晶硅电池,其包括:P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线;其中,所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上,所述正面金属栅线为周期性的分段结构,单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极,其中,所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触,所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本实用新型的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤,也无需高温的硼扩;而且银电极的遮光面积小,从而提高硅片的光吸收效率。
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