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专利状态

一种双通道功率衰减装置

有效

专利申请进度

申请

2017-12-20

授权

2018-05-11

预估到期

2027-12-20

专利基础信息

申请号	CN201721788789.7	申请日	2017-12-20
授权公布号	CN207354227U	授权公告日	2018-05-11
分类号	H03G3/20;H03H11/46
分类	基本电子电路;
申请人名称	北京北广科技股份有限公司
申请人地址	北京市顺义区天竺空港工业区天柱路A区26号

专利法律状态

2018-05-11

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种双通道功率衰减装置，包括射频信号输入端口X1、射频信号输出端口X2、电容C1、电容C2，并联的第一衰减通道A、第二衰减通道B；第一衰减通道A包括第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2，第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2；第二衰减通道B包括第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4，PIN二极管由12V电压提供偏置信号，控制导通和截止。本实用新型的双衰减通道由分立的元器件构成，成本低廉，适宜于大功率发射设备使用；可设置根据需要设置衰减量、端口阻抗特性；通道偏置电压高，在复杂电磁环境下抗干扰能力强。

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