一种封装结构及封装结构的制备方法

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专利状态

一种封装结构及封装结构的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-21

申请公布

2020-06-30

授权

2023-12-15

预估到期

2038-12-21

专利基础信息

申请号	CN201811571228.0	申请日	2018-12-21
申请公布号	CN111354687A	申请公布日	2020-06-30
授权公布号	CN111354687B	授权公告日	2023-12-15
分类号	H01L23/31;H01L23/52;H01L23/535;H01L21/48
分类	基本电气元件;
申请人名称	深南电路股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区侨城东路99号

专利法律状态

2023-12-15

授权

状态信息

授权
2020-07-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/31；申请日:20181221
2020-06-30

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种封装结构及封装结构的制备方法，该封装结构包括：线路层；图案层，该图案层固定设置在该线路层上；至少一个电子元件，设置在该线路层上并与该线路层电连接；封装体，设置在该线路层上，并对该图案层和至少一个该电子元件进行埋入封装；其中，该图案层设有对至少一个该电子元件进行定位的靶标图案。通过上述方式，本发明能够提高封装结构的质量。

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