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专利状态

一种双基岛封装器件

有效

专利申请进度

申请

2022-05-09

授权

2022-11-22

预估到期

2032-05-09

专利基础信息

申请号	CN202221102292.6	申请日	2022-05-09
授权公布号	CN217881492U	授权公告日	2022-11-22
分类号	H01L23/495;H01L23/367;H01L25/16
分类	基本电气元件;
申请人名称	佛山市国星光电股份有限公司
申请人地址	广东省佛山市禅城区华宝南路18号

专利法律状态

2022-11-22

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种双基岛封装器件，所述双基岛封装器件包括主基岛、次级基岛、高功率芯片和控制芯片，所述次级基岛和所述高功率芯片相互独立分布在所述主基岛顶面上，所述控制芯片位于所述次级基岛顶面上；所述次级基岛包括第一金属镀层和绝缘基板，所述第一金属镀层覆盖在所述绝缘基板的顶面；所述主基岛为金属基板，所述控制芯片固定在所述次级基岛的第一金属镀层上。所述封装器件通过在主基岛上设置绝缘基板形成的次级基岛，提高了芯片之间的电气隔绝性能，降低了漏电风险，同时散热面积有所提升，提高了器件的散热效果，此外，会减少高功率芯片和控制芯片之间的温差，延长了器件的使用寿命。

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