一种敏感信号抗干扰的电路结构

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专利状态

一种敏感信号抗干扰的电路结构

有效

专利申请进度

申请

2020-10-23

授权

2021-06-18

预估到期

2030-10-23

专利基础信息

申请号	CN202022385971.6	申请日	2020-10-23
授权公布号	CN213484842U	授权公告日	2021-06-18
分类号	H03K19/003
分类	基本电子电路;
申请人名称	深圳市中诺通讯有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙华区民治街道北站社区汇隆商务中心2号楼3701

专利法律状态

2021-06-18

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供的一种敏感信号抗干扰的电路结构，其特征在于，包括：敏感信号输入端、第一MOS管、敏感信号输出端，所述敏感信号输入端与所述第一MOS管的输入栅极连接，所述第一MOS管并联有第一电容，所述第一MOS管在电压输入端串联有第一电阻，第一MOS管还并联有降压模块，降压模块包括第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二电容，所述第二MOS管分别与第二电容、第二电阻及第三电阻连接，所述第二电容与第三电阻连接，所述第二电阻与第三电阻连接，所述第一MOS管分别与所述第二电容及第三电阻连接且接至接地端，所述降压模块连接至所述敏感信号输出端。通过将敏感信号在远端进行升压、在末端进行降压、并增加滤波电容来提升敏感信号的抗干扰能力。

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