芯片抗辐射能力的评测方法、装置及芯片

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专利状态

芯片抗辐射能力的评测方法、装置及芯片

有效

专利申请进度

申请

2015-10-30

申请公布

2017-05-10

授权

2020-10-09

预估到期

2035-10-30

专利基础信息

申请号	CN201510727525.X	申请日	2015-10-30
申请公布号	CN106653091A	申请公布日	2017-05-10
授权公布号	CN106653091B	授权公告日	2020-10-09
分类号	G11C29/12
分类	信息存储;
申请人名称	龙芯中科技术股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼

专利法律状态

2021-02-05

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):G11C29/12；变更事项:专利权人；变更前:龙芯中科技术有限公司；变更后:龙芯中科技术股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100095 北京市海淀区北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼；变更后:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼
2020-10-09

授权

状态信息

授权
2017-06-06

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C29/12；申请日:20151030
2017-05-10

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种芯片抗辐射能力的评测方法、装置及芯片。其中，芯片内部集成MBIST电路，该方法包括：通过向MBIST电路发送测试执行信号，触发MBIST电路执行读写操作；确定MBIST电路执行写操作完成，触发粒子束对芯片进行辐射；在辐射结束后，确定MBIST电路开始执行读操作，在MBIST电路执行读操作的过程中，获取芯片辐射后的存储数据，根据存储数据与预设数据中的不同的数据位，获取芯片的抗辐射能力。本发明提供的评测方法、装置及芯片方式灵活且电路结构简单，节约了评测开销。

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