内存接口电路、PHY芯片及处理器

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专利状态

内存接口电路、PHY芯片及处理器

有效

专利申请进度

申请

2019-05-31

申请公布

2020-12-01

授权

2023-08-08

预估到期

2039-05-31

专利基础信息

申请号	CN201910474983.5	申请日	2019-05-31
申请公布号	CN112017702A	申请公布日	2020-12-01
授权公布号	CN112017702B	授权公告日	2023-08-08
分类号	G11C7/10
分类	信息存储;
申请人名称	龙芯中科技术股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2021-02-05

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C7/10；变更事项:申请人；变更前:龙芯中科技术有限公司；变更后:龙芯中科技术股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼；变更后:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼
2020-12-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C7/10；申请日:20190531
2020-12-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供一种内存接口电路、PHY芯片及处理器，包括：数据写入电路、数据读取电路、并串转换电路、串并转换电路，其中，数据写入电路与并串转换电路连接，数据读取电路与串并转换电路连接；并串转换电路用于接收内存控制器发送的第一并行信号，将第一并行信号转换为第一串行信号，并向数据写入电路发送第一串行信号；串并转换电路用于接收数据读取电路发送的第二串行信号，将第二串行信号转换为第二并行信号，并向内存控制器发送第二并行信号。提高了对内存的数据读写速率。

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