一种芯片的刻蚀工艺优化方法及系统

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专利状态

一种芯片的刻蚀工艺优化方法及系统

有效

专利申请进度

申请

2023-11-23

申请公布

2023-12-22

授权

2024-02-20

预估到期

2043-11-23

专利基础信息

申请号	CN202311567969.2	申请日	2023-11-23
申请公布号	CN117276145A	申请公布日	2023-12-22
授权公布号	CN117276145B	授权公告日	2024-02-20
分类号	H01L21/67
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏永鼎股份有限公司
申请人地址	江苏省苏州市吴江区汾湖高新区国道路1788号

专利法律状态

2024-02-20

授权

状态信息

授权
2024-01-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/67；申请日:20231123
2023-12-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种芯片的刻蚀工艺优化方法及系统，涉及芯片制作技术领域，该方法包括：获取对目标芯片的刻蚀工艺参数进行优化的刻蚀条件；构建湿法刻蚀工艺参数调整域，构建刻蚀优化函数；分别进行目标芯片的模拟湿法刻蚀，并获取模拟刻蚀后的多个尺寸信息集合；构建模拟刻蚀的多个芯片沟道建模信息；计算获得多个引导适应度和多个从属适应度；计算获取多个微步长；结合多个引导步长和多个微步长，进行迭代寻优直到达到预设寻优次数，获得最优刻蚀工艺参数，作为刻蚀工艺优化结果。本发明解决了现有技术利用湿法刻蚀进行芯片制作时存在刻蚀质量差，工艺优化效率低的技术问题，达到了提升芯片的刻蚀工艺优化效率，提高刻蚀质量的技术效果。

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