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专利状态
一种片式衰减器
有效
专利申请进度
申请
2020-08-26
授权
2021-04-20
预估到期
2030-08-26
专利基础信息
申请号 CN202021816979.7 申请日 2020-08-26
授权公布号 CN213026429U 授权公告日 2021-04-20
分类号 H01P1/23;H01P11/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 广东风华高新科技股份有限公司
申请人地址 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城
专利法律状态
  • 2021-04-20
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型公开了一种片式衰减器,其包括基板,所述基板的正面成型有正面电极层,所述基板的正面还通过物理或化学方法沉积成型有薄膜电阻层,且所述薄膜电阻层采用冷激光扫描切割或离子束刻蚀技术修阻而成,所述正面电极层之间通过所述薄膜电阻层连通;所述基板的背面成型有背面电极层,所述正面电极层与背面电极层通过侧面电极层在所述基板的侧边上连通。本实用新型所述的片式衰减器,可以解决现有技术中采用厚膜工艺制备片式衰减器以致衰减器产品衰减量不稳定、成本较高的问题。