一种温度补偿衰减器的制备方法

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专利状态

一种温度补偿衰减器的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2017-11-09

申请公布

2018-02-16

授权

2021-05-18

预估到期

2037-11-09

专利基础信息

申请号	CN201711110310.9	申请日	2017-11-09
申请公布号	CN107706495A	申请公布日	2018-02-16
授权公布号	CN107706495B	授权公告日	2021-05-18
分类号	H01P11/00;H01P1/22;H01P1/30
分类	基本电气元件;
申请人名称	广东风华高新科技股份有限公司
申请人地址	广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城

专利法律状态

2021-05-18

授权

状态信息

授权
2018-03-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01P11/00；申请日:20171109
2018-02-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种温度补偿衰减器的制备方法，该方法包括以下步骤：采用薄膜工艺在基片上沉积PTC热敏电阻，对PTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；采用薄膜工艺在基片上沉积NTC热敏电阻，对NTC热敏电阻进行图形化，保留设计所需部分；分别或同时对图形化后的PTC热敏电阻和NTC热敏电阻进行热处理；采用薄膜工艺在基片上沉积金属电极，对金属电极进行图形化，得到温度补偿衰减器。本发明采用了薄膜工艺，其具有更高的精度及可控性，制得的薄膜温度补偿衰减器具有更低的噪声、更优异的射频性能及性能的一致性和重复性；同时利于小型化、薄型化和集成化，对温度变化具有更高的灵敏度。

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