功率半导体模块的热模型建模方法及其应用方法和装置

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专利状态

功率半导体模块的热模型建模方法及其应用方法和装置

有效

专利申请进度

申请

2019-08-26

申请公布

2019-11-26

授权

2023-05-30

预估到期

2039-08-26

专利基础信息

申请号	CN201910791632.7	申请日	2019-08-26
申请公布号	CN110502842A	申请公布日	2019-11-26
授权公布号	CN110502842B	授权公告日	2023-05-30
分类号	G06F30/20;G06F30/30
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	阳光电源股份有限公司
申请人地址	安徽省合肥市高新区习友路1699号

专利法律状态

2023-05-30

授权

状态信息

授权
2019-12-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F 17/50；专利申请号:2019107916327；申请日:20190826
2019-11-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供的功率半导体模块的热模型建模方法及其应用方法和装置，在构建功率半导体模块的初始热阻抗模型的基础之上，以离线状态下测量得到的功率半导体模块内负温度系数元器件NTC的采样延迟时间为依据，对初始热阻抗模型进行修正，得到带有延迟采样节点的修正热阻抗模型，进而减小了现有技术中NTC采样延迟带来的结温估算误差，相比现有技术提高了结温估算的准确度。

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