三电平逆变拓扑结构及其控制方法、单相及三相逆变电路

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专利状态

三电平逆变拓扑结构及其控制方法、单相及三相逆变电路

有效

专利申请进度

申请

2020-11-02

申请公布

2021-02-12

授权

2022-04-19

预估到期

2040-11-02

专利基础信息

申请号	CN202011205728.X	申请日	2020-11-02
申请公布号	CN112366971A	申请公布日	2021-02-12
授权公布号	CN112366971B	授权公告日	2022-04-19
分类号	H02M7/537;H02M1/088
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳市英威腾电气股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市光明区马田街道松白路英威腾光明科技大厦

专利法律状态

2022-04-19

授权

状态信息

授权
2021-02-12

公布

状态信息

公布

摘要

一种三电平逆变拓扑结构及其控制方法、单相及三相逆变电路，其中，三电平逆变拓扑结构通过采用第一功率开关管、第二功率开关管、第三功率开关管、第一续流支路、第二续流支路以及第三续流支路，实现仅需三个功率开关管即可实现对直流电的逆变，相比于传统的三电平逆变拓扑结构减少了一个功率开关管，降低了三电平逆变拓扑结构的成本，解决了传统的三电平逆变拓扑结构存在的由于电路中所使用的功率开关管数量较多从而导致所产生的成本相对较高的问题。

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