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专利状态
一种真空断路器用触头及其制备方法,真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料
有效
专利申请进度
申请
2020-08-20
申请公布
2020-12-25
授权
2023-04-14
预估到期
2040-08-20
专利基础信息
申请号 CN202010843985.X 申请日 2020-08-20
申请公布号 CN112126898A 申请公布日 2020-12-25
授权公布号 CN112126898B 授权公告日 2023-04-14
分类号 C23C14/16;C23C14/35;C22C9/00;H01H33/664;H01H11/04
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 平高集团有限公司
申请人地址 河南省平顶山市南环东路22号
专利法律状态
  • 2023-04-14
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-25
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种真空断路器用触头及其制备方法,真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料。该真空断路器用触头包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层,所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成:Cr 18‑25%,Mo 5‑10%,Ta 20‑30%,余量为Cu。本发明提供的真空断路器用触头,经磁控溅射镀覆Cu、Cr、Mo、Ta元素分布均匀的合金膜,Cu、Cr、Mo、Ta元素形成多组分稳定相结构,在高温下未发现明显相分离与扩散。经真空击穿实验表明,其可使电弧在触头表面更广泛的区域运动,减少集中侵蚀,具有优异的抗电弧烧蚀性能及耐电压性能。