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专利状态
复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2019-08-19
申请公布
2021-02-23
授权
2023-02-07
预估到期
2039-08-19
专利基础信息
申请号
CN201910762596.1
申请日
2019-08-19
申请公布号
CN112397655A
申请公布日
2021-02-23
授权公布号
CN112397655B
授权公告日
2023-02-07
分类号
H10K50/115;H10K50/15;H10K85/00;B82Y30/00;B82Y40/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2023-02-07
授权
状态信息
授权
2021-02-23
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。复合材料包括氧化镍纳米颗粒和结合在所述氧化镍纳米颗粒表面的乙二胺四乙酸铜;其中,所述乙二胺四乙酸铜中的铜离子与氧化镍纳米颗粒表面的氧离子相结合。该复合材料中乙二胺四乙酸铜不仅可以提高氧化镍纳米颗粒的分散性,防止氧化镍纳米颗粒团聚,还能提高其导电性,且能提高氧化镍功函数,进而提高了其空穴的注入能力,将该复合材料用于量子点发光二极管的空穴传输层,可以促进电子‑空穴有效地复合,降低激子累积对器件性能的影响,从而提高器件性能。
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