动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质

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专利状态

动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2019-03-26

申请公布

2019-07-16

授权

2022-03-25

预估到期

2039-03-26

专利基础信息

申请号	CN201910232073.6	申请日	2019-03-26
申请公布号	CN110018789A	申请公布日	2019-07-16
授权公布号	CN110018789B	授权公告日	2022-03-25
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	记忆科技（深圳）有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区蛇口街道蛇口后海大道东角头厂房D14/F、D24/F、D15/F

专利法律状态

2022-03-25

授权

状态信息

授权
2019-07-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质，方法包括：下发读写描述符；通过定时器统计对应的读写时间；判断读写操作是否正常完成；若未正常完成，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；若正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求；在满足要求时，执行下发读写描述符步骤；在不满足要求时，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器。本方案通过获取实际的读写时间，然后更加准确的动态适配NAND的Tr和Tprom时间，使得不会出现NAND因环境原因产生的Tr和Tprom时间的改变，而导致的SSD读写性能下降的情况，提高了NAND的利用率，有效提升了SSD的读写性能。

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