一种励磁装置可控硅导通监测装置及方法

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专利状态

一种励磁装置可控硅导通监测装置及方法

有效

专利申请进度

申请

2018-05-14

申请公布

2018-10-12

授权

2024-01-02

预估到期

2038-05-14

专利基础信息

申请号	CN201810458192.9	申请日	2018-05-14
申请公布号	CN108646161A	申请公布日	2018-10-12
授权公布号	CN108646161B	授权公告日	2024-01-02
分类号	G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	中国长江电力股份有限公司
申请人地址	湖北省宜昌市西陵区西坝建设路1号

专利法律状态

2024-01-02

授权

状态信息

授权
2018-11-06

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01R31/26；申请日:20180514
2018-10-12

公布

状态信息

公布

摘要

一种励磁装置可控硅导通监测装置及方法，该装置包括并联于励磁功率柜的每个可控硅VT1两侧的电阻分压板，所述电阻分压板用于采集可控硅VT1阳极和阴极间的电压U。电阻分压板连接交流电压变送器，电阻分压板将电压信号UR1送至交流电压变送器。交流电压变送器连接励磁调节器，交流电压变送器用于将电阻分压板1电压UR1转化为励磁调节器兼容的标准电压信号U1。交流电压变送器输出的交流电压信号U1送至励磁调节器，励磁调节器用于根据电阻分压板的电压比例系数、变送器变比，将交流电压信号U1还原为可控硅VT1阳极和阴极间的电压U。本发明通过采集可控硅两侧实时电压，该电压与可控硅管压降电压进行比较，来判断可控硅是否正常导通。

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